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BFR193WH6327 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

BFR193WH6327 product

BFR193WH6327

Transistors - Bipolar (BJT) - RF

RF-TransistorNPNRauscharm

Der BFR193W ist ein leistungsstarker NPN-RF-Transistor, der für rauscharme, hochverstärkende Breitbandverstärker bis 2 GHz entwickelt wurde.

Ideal für

  • RF-Breitbandverstärker
  • Rauscharme Eingangsstufen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die Frequenzen deutlich über 2 GHz erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr bei hohen Umgebungstemperaturen

Wichtige Specs

fT
8 GHz
NFmin
1 dB
VCEO
12 V

Compliance & Umwelt

RoHS
Not applicable
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Konnektivität

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für BFR193WH6327 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen rauscharmen Silizium-Bipolar-RF-Transistor, der für lineare Breitbandverstärker und Anwendungen mit hoher Verstärkung bis zu 2 GHz optimiert ist.