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BFU550XAR KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

BFU550XAR product

BFU550XAR

Discrete Semiconductor Products

RF-TransistorNPNSOT143B

Der BFU550X ist ein leistungsstarker NPN-Silizium-RF-Transistor, der für rauscharme Hochgeschwindigkeitsanwendungen bis zu 2 GHz optimiert ist.

Ideal für

  • RF-Breitbandverstärker
  • ISM-Band-Anwendungen

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 450mW

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung und PCB-Layout

Wichtige Specs

Max. Frequenz
2 GHz
VCE
12 V
IC
50 mA
Rauschzahl
0.75 dB

Compliance & Umwelt

RoHS
Y
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8541210075.0

Anwendung

RF-VerstärkerISM-Band

Datenblatt

NXP-Semiconductors-company-13.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für BFU550XAR laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen NPN-Breitband-Silizium-RF-Transistor für Hochgeschwindigkeits- und rauscharme Anwendungen im 4-Pin SOT143B-Gehäuse.