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BFU660F,115 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

BFU660F,115 product

BFU660F,115

Bipolar (BJT)

RF-TransistorNPNMikrowelle

Der BFU660F ist ein leistungsstarker NPN-RF-Transistor, der für rauscharme und hochlineare Anwendungen im Mikrowellenbereich optimiert ist.

Ideal für

  • ZigBee
  • LTE/UMTS
  • X-Band Pufferverstärker

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsschaltanwendungen

Vor der Verwendung prüfen

  • ESD-Schutzmaßnahmen

Wichtige Specs

fT
40 GHz
Rauschzahl
0,65 dB
VCEO
5,5 V

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Anwendung

KonnektivitätAllgemeine RF

Datenblatt

DSASFU100010380.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für BFU660F,115 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der BFU660F ist ein NPN-Breitband-Silizium-Mikrowellentransistor für Hochgeschwindigkeits- und rauscharme RF-Anwendungen.