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BFU730F,115 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

BFU730F,115 product

BFU730F,115

Programmers

HF-TransistorSiGeRauscharm

Der BFU730F ist ein leistungsstarker NPN-SiGe-HF-Transistor, der für rauscharme Hochfrequenzanwendungen bis 12 GHz optimiert ist.

Ideal für

  • Rauscharme Verstärkung
  • Mikrowellen-Kommunikation
  • Batteriebetriebene HF-Geräte

Vermeiden, wenn

  • Hochspannungsanwendungen
  • Allgemeine Schalteranwendungen

Vor der Verwendung prüfen

  • ESD-Schutzmaßnahmen
  • Spannungsgrenzen

Wichtige Specs

fT
110 GHz
Rauschzahl
0,8 dB bei 5,8 GHz
Max. Leistungsverstärkung
18,5 dB bei 5,8 GHz

Compliance & Umwelt

RoHS
Y
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8541210075.0

Anwendung

KonnektivitätUnterhaltungselektronik

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für BFU730F,115 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der BFU730F ist ein NPN-Silizium-Germanium-HF-Transistor für Hochgeschwindigkeits- und rauscharme Mikrowellenanwendungen.