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BGA 5H1BN6 E6327 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

BGA 5H1BN6 E6327 product

BGA 5H1BN6 E6327

RF Amplifiers

LNALTEInfineonRF

Der BGA5H1BN6 ist ein leistungsstarker SiGe-LNA, der für das LTE-Highband (2300-2690 MHz) optimiert ist und über eine integrierte Bypass-Funktion verfügt.

Ideal für

  • LTE-Highband-RF-Front-Ends
  • Mobilgeräte, die einen hohen Dynamikbereich erfordern

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen außerhalb des Bereichs von 2300-2690 MHz

Vor der Verwendung prüfen

  • Stabilität der Versorgungsspannung
  • Design des Eingangsanpassungsnetzwerks

Wichtige Specs

Verstärkung
18,1 dB
Rauschzahl
0,7 dB
Frequenz
2300-2690 MHz

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Konnektivität

Datenblatt

918f99d78d7575ed0a2fff1dc5f870ee_Infineon(英飞凌)&BGA 5H1BN6 E6327.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für BGA 5H1BN6 E6327 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen rauscharmen Front-End-Verstärker (LNA) für LTE-Highband-Anwendungen, der auf der B9HF-Silizium-Germanium-Technologie von Infineon basiert.