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BRD100N03 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

BRD100N03 product

BRD100N03

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFETTO-252Leistung

Der BRD100N03 ist ein 30V, 100A N-Kanal-MOSFET im TO-252-Gehäuse, optimiert für effiziente Schaltanwendungen und DC/DC-Wandler.

Ideal für

  • DC/DC-Wandlung
  • Leistungsschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine extrem niedrige Gate-Ansteuerspannung unter 1V erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Kompatibilität der Gate-Ansteuerschaltung

Wichtige Specs

Vdss
30 V
Id
100 A
Rds(on)
5,5 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Leistung

Datenblatt

ad9055befce9660c88f0ea9fc2626d5a_1912111437_Foshan-Blue-Rocket-Elec-BRD100N03_C328551.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für BRD100N03 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET im TO-252-Kunststoffgehäuse, der für effizientes Energiemanagement entwickelt wurde.