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BRMMDT2227WS KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

BRMMDT2227WS product

BRMMDT2227WS

Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays

Dual-TransistorNPN+PNPSOT-363

Der BRMMDT2227WS ist ein duales NPN+PNP-Transistor-Array im SOT-363-Gehäuse, das für Verstärker- und Schaltanwendungen mit geringer Leistung ausgelegt ist.

Ideal für

  • Verstärker mit geringer Leistung
  • Schaltkreise

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 200mW Gesamtverlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Pin-Konfiguration für NPN- und PNP-Bereiche

Wichtige Specs

Konfiguration
NPN + PNP
VCEO (NPN)
40 V
VCEO (PNP)
-60 V
Max. Kollektorstrom
600 mA

Compliance & Umwelt

RoHS
Yes
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Allgemeine AnwendungenLeistung

Datenblatt

fd8f9faf4de04f6762f6d55d1ccacb8d_2407101646_Foshan-Blue-Rocket-Elec-BRMMDT2227WS_C22435003.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für BRMMDT2227WS laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um ein Dual-Transistor-Bauteil, das einen NPN- und einen PNP-Siliziumtransistor in einem einzigen SOT-363-Gehäuse für die Oberflächenmontage vereint.