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BSC010NE2LS KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

BSC010NE2LS product

BSC010NE2LS

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal25VInfineon

Der BSC010NE2LS ist ein leistungsstarker 25V N-Kanal OptiMOS™-MOSFET im PG-TDSON-8-Gehäuse, der für effiziente DC-DC-Abwärtswandler optimiert ist.

Ideal für

  • Hochleistungs-Abwärtswandler
  • DC-DC-Netzteile

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit >25V VDS
  • Platzkritische Designs, bei denen PG-TDSON-8 zu groß ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel
  • Wärmeableitungsanforderungen

Wichtige Specs

VDS
25 V
ID
100 A
RDS(on)
1,0 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Stromversorgung

Datenblatt

1d1016a3ba4620d375278d051fc7e277.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für BSC010NE2LS laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Infineon, der speziell für Hochleistungs-Abwärtswandler mit sehr niedrigem Einschaltwiderstand entwickelt wurde.