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BSC014NE2LSIATMA1 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

BSC014NE2LSIATMA1 product

BSC014NE2LSIATMA1

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal25VOptiMOS

Der BSC014NE2LSI ist ein leistungsstarker 25V N-Kanal OptiMOS-Leistungs-MOSFET im PG-TDSON-8-Gehäuse, optimiert für effiziente Abwärtswandler.

Ideal für

  • Abwärtswandler
  • Energieverwaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine Drain-Source-Spannung von >25V erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Wärmeableitung

Wichtige Specs

VDS
25 V
ID
179 A
RDS(on)
1,4 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energie

Datenblatt

Infineon-company-51.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für BSC014NE2LSIATMA1 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET aus der OptiMOS-Serie von Infineon, der für hocheffiziente Stromwandlungen entwickelt wurde.