BSC019N04NS G Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | Infineon Technologies | PartGenie

KI-Zusammenfassung

BSC019N04NS G product

Der BSC019N04NS G ist ein leistungsstarker 40V N-Kanal-Leistungs-MOSFET im PG-TDSON-8-Gehäuse, optimiert für hocheffiziente DC/DC-Wandler und Schaltnetzteile.

Ideal für

DC/DC-Wandler
Schaltnetzteile

Vermeiden, wenn

Anwendungen, die eine extrem niedrige Gate-Ladung oder sehr kleine Formfaktoren erfordern

Vor der Verwendung prüfen

Wärmeableitungsanforderungen
Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

Vds: 40 V
Id: 100 A
Rds(on): 1,9 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS: RoHS Compliant
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

Stromversorgung

Datenblatt

8ad518dbb3091a28bcaaecf6dd02e4a3_Infineon(英飞凌)&BSC019N04NS G.pdf

800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für BSC019N04NS G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen OptiMOS™3 N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der für hocheffiziente Energiemanagementanwendungen entwickelt wurde.