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BSC027N10NS5 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

BSC027N10NS5 product

BSC027N10NS5

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal100VOptiMOS

Der BSC027N10NS5 ist ein leistungsstarker 100V N-Kanal-MOSFET von Infineon, optimiert für hocheffiziente Stromwandlung.

Ideal für

  • Synchrongleichrichtung
  • Hochleistungs-SMPS

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen ein niedrigerer RDS(on) oder kleinere Gehäuse erforderlich sind

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Treiber-Spannungspegel

Wichtige Specs

VDS
100 V
RDS(on)
2,7 mΩ
ID
100 A

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungIndustrie

Datenblatt

c42be37a7a07a0c75b6fea2d1e96ffe5_2005291339_Infineon-Technologies-BSC027N10NS5_C534315.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für BSC027N10NS5 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-OptiMOS-Leistungstransistor, der für 100V und 100A ausgelegt ist und für Hochleistungs-Stromversorgungsanwendungen entwickelt wurde.