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BSC028N06LS3 G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

BSC028N06LS3 G product

BSC028N06LS3 G

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal60VLeistungstransistor

Der BSC028N06LS3 G ist ein leistungsstarker 60V, 100A N-Kanal-Leistungs-MOSFET im PG-TDSON-8-Gehäuse, optimiert für DC/DC-Wandler und Hochfrequenzanwendungen.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Hochfrequenzschaltungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine Durchsteckmontage erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr-Anforderungen

Wichtige Specs

VDS
60 V
ID
100 A
RDS(on)
2,8 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

BSC028N06LS3_rev2.2.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für BSC028N06LS3 G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET aus der OptiMOS 3-Serie von Infineon, konzipiert für hocheffiziente Stromwandlung.