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BSC030P03NS3G-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

BSC030P03NS3G-HXY product

BSC030P03NS3G-HXY

MOSFETs - Single

MOSFETP-Kanal30VLeistung

Der BSC030P03NS3G ist ein -30V P-Kanal-MOSFET im DFN5X6-8L-Gehäuse, der für Hochstrom-Schaltanwendungen wie Batterieschutz optimiert ist.

Ideal für

  • Batteriemanagementsysteme
  • Leistungsschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Logik erfordern
  • Extrem platzkritische Designs ohne Wärmeableitung

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmewiderstand (RθJC)
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
-30 V
ID
-100 A
RDS(ON)
4 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungIndustrie

Datenblatt

603663afa8f0ed10ef5a3e25a851c125_2403261740_HXY-MOSFET-BSC030P03NS3G-HXY_C22367086.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für BSC030P03NS3G-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der fortschrittliche Trench-Technologie für niedrigen RDS(ON) und effizientes Schalten nutzt.