ProjektePreiseInsights

BSC047N08NS3G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

BSC047N08NS3G product

BSC047N08NS3G

MOSFETs - Single

N-KanalLeistungs-MOSFET80VOptiMOS

Der BSC047N08NS3G ist ein leistungsstarker 80V N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Infineon, der für hocheffiziente DC/DC-Wandler und Hochfrequenz-Schaltanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Synchrongleichrichtung
  • Hochfrequenz-Leistungsschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem niedrige Gate-Ansteuerspannungen unter 4,5V erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
80 V
ID
100 A
RDS(on)
4,7 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

4ef8a37339b54bdc09362bd640b8921a_2304140030_Infineon-Technologies-BSC047N08NS3G_C501500.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für BSC047N08NS3G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen OptiMOS 3 N-Kanal-Leistungstransistor, der für Hochfrequenzschaltungen und DC/DC-Wandler optimiert ist.