BSC066N06NS-HXY Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | HXY MOSFET | PartGenie

KI-Zusammenfassung

BSC066N06NS-HXY product

Der BSC066N06NS ist ein 60V, 80A N-Kanal-MOSFET im DFN5x6-8L-Gehäuse, optimiert für effizientes Schalten in Batterieschutz- und Stromversorgungsanwendungen.

Ideal für

Batterieschutz
Lastschalter
USV

Vermeiden, wenn

Anwendungen mit Gate-Ansteuerspannungen unter 4,5V

Vor der Verwendung prüfen

Thermische Auslegung
Kompatibilität der Gate-Ansteuerung

Wichtige Specs

VDS: 60 V
ID: 80 A
RDS(on): 7 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS: -
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

StromversorgungIndustrie

Datenblatt

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800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für BSC066N06NS-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET für Schaltanwendungen mit niedrigem Einschaltwiderstand und geringer Gate-Ladung.