ProjektePreiseInsights

BSC070N10NS3G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

BSC070N10NS3G product

BSC070N10NS3G

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal100VOptiMOS

Der BSC070N10NS3 G ist ein hocheffizienter 100V N-Kanal-MOSFET im PG-TDSON-8-Gehäuse, optimiert für DC-DC-Wandler mit hoher Schaltfrequenz.

Ideal für

  • DC-DC-Wandler
  • Hochfrequenz-Netzteile
  • Industrielles Energiemanagement

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit extrem niedriger Spannung (z.B. <12V), bei denen MOSFETs mit niedrigerer Spannungsfestigkeit effizienter sein könnten.

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel
  • Anforderungen an die Wärmeableitung

Wichtige Specs

VDS
100 V
ID
90 A
RDS(on)
7 mΩ
Qg
42 nC

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungswandlungIndustrie

Datenblatt

c4a08446fe318eab486ddb3f8812d2e5.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für BSC070N10NS3G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen OptiMOS™3 N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Infineon, der für DC-DC-Wandleranwendungen mit hoher Frequenz entwickelt wurde.