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BSC076N06NS3 G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

BSC076N06NS3 G product

BSC076N06NS3 G

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal60VOptiMOS

Der BSC076N06NS3 G ist ein 60V N-Kanal OptiMOS 3 Leistungs-MOSFET im PG-TDSON-8 Gehäuse, optimiert für DC/DC-Wandler und hochfrequente Schaltanwendungen.

Ideal für

  • DC/DC-Netzteile
  • Hochfrequenz-Schaltkreise

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit extrem niedriger Spannung oder sehr hohen Strömen über 50A

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
60 V
ID
50 A
RDS(on)
7.6 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Stromversorgung

Datenblatt

BSC076N06NS3_Rev2.1.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für BSC076N06NS3 G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal Leistungs-MOSFET aus der OptiMOS 3-Familie von Infineon mit einer Drain-Source-Durchbruchspannung von 60V und einem Dauerstrom von 50A.