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BSC090N03LSGATMA1 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

BSC090N03LSGATMA1 product

BSC090N03LSGATMA1

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal30VInfineon

Der BSC090N03LS G ist ein 30V N-Kanal OptiMOS™3 Leistungs-MOSFET im PG-TDSON-8 Gehäuse, optimiert für effiziente DC/DC-Wandler und Schaltnetzteile.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Schaltnetzteile

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen über 30V

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Anforderungen
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

Vds
30 V
Id
48 A
Rds(on)
9 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

Infineon-company-51.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für BSC090N03LSGATMA1 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Infineon, der für schnelles Schalten in Schaltnetzteilen und DC/DC-Wandlern optimiert ist.