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BSC097N06NS KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

BSC097N06NS product

BSC097N06NS

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal60VOptiMOS

Der BSC097N06NS ist ein 60 V N-Kanal OptiMOS-Leistungstransistor im PG-TDSON-8-Gehäuse, der für hocheffiziente Schaltnetzteile und synchrone Gleichrichtung optimiert ist.

Ideal für

  • Synchrone Gleichrichtung
  • Schaltnetzteile (SMPS)

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine höhere Spannungsfestigkeit als 60 V erfordern
  • Anwendungen, die einen deutlich höheren kontinuierlichen Strom als 46 A erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung auf der Leiterplatte
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
60 V
RDS(on) max
9,7 mΩ
ID
46 A

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

ad81c138759d3bc19db3e7cd5282d735_2401231634_HXY-MOSFET-BSC097N06NS-HXY_C20606225.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für BSC097N06NS laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der BSC097N06NS ist ein OptiMOS-Leistungstransistor von Infineon, der für Hochleistungs-Schaltanwendungen entwickelt wurde und eine Drain-Source-Durchbruchspannung von 60 V sowie einen niedrigen Einschaltwiderstand aufweist.