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BSC105N10LSF G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

BSC105N10LSF G product

BSC105N10LSF G

FETs

MOSFETN-Kanal100VOptiMOS

Der BSC105N10LSF G ist ein 100V N-Kanal-Logikpegel-MOSFET im PG-TDSON-8-Gehäuse, optimiert für effiziente Leistungswandlung.

Ideal für

  • Synchrongleichrichtung
  • Hochfrequenz-DC-DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine Gate-Ansteuerspannung unter 1,2V erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung und Leiterplattenlayout für das PG-TDSON-8-Gehäuse

Wichtige Specs

VDS
100 V
ID
90 A
RDS(on)
10,5 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungselektronikIndustrie

Datenblatt

c9523462de21593e2c8602221414fb66_Infineon(英飞凌)&BSC105N10LSF G.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für BSC105N10LSF G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein OptiMOS 2 N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit Logikpegel-Gate-Ansteuerung, der für hochfrequente Schaltanwendungen entwickelt wurde.