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BSC109N10NS3G-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

BSC109N10NS3G-HXY product

BSC109N10NS3G-HXY

MOSFETs - Single

N-Kanal100VSGT-MOSFET

Der BSC109N10NS3G ist ein 100V, 75A N-Kanal SGT-MOSFET, der für hocheffiziente Stromwandlung und Motorsteuerungsanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Synchrongleichrichtung
  • Motorsteuerung
  • Isolierte DC-DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem niedrige Gate-Ansteuerspannungen unter 4,5V erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Spitzenstromfähigkeit des Gate-Treibers

Wichtige Specs

VDS
100 V
ID
75 A
RDS(ON)
9,2 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

MotorsteuerungNetzteile

Datenblatt

258f2767fce9ee0c67eefd68b08c1a40_2401231634_HXY-MOSFET-BSC109N10NS3G-HXY_C20606272.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für BSC109N10NS3G-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit fortschrittlicher SGT-Technologie, der für Hochleistungs-Schaltanwendungen entwickelt wurde.