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BSC110N06NS3G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

BSC110N06NS3G product

BSC110N06NS3G

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal60VOptiMOS

Der BSC110N06NS3 G ist ein 60V, 50A N-Kanal-Leistungs-MOSFET im PG-TDSON-8-Gehäuse, optimiert für hochfrequente DC/DC-Wandler.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Synchrongleichrichtung
  • Hochfrequenzschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit >60V Vds
  • Extrem stromsparende batteriebetriebene Geräte

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Anforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

Vds
60 V
Id
50 A
Rds(on)
11 mΩ
Qg
25 nC

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

poYBAGNVPquAFi_bAAYlP8qzdOQ046.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für BSC110N06NS3G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen OptiMOS 3 N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Infineon, der für hocheffiziente Stromwandlungsanwendungen entwickelt wurde.