ProjektePreiseInsights

BSC123N08NS3G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

BSC123N08NS3G product

BSC123N08NS3G

MOSFETs - Single

N-KanalOptiMOS 380V MOSFET

Der BSC123N08NS3G ist ein 80V, 55A N-Kanal-MOSFET, der für hocheffiziente DC/DC-Wandler und hochfrequente Schaltanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Synchrone Gleichrichtung
  • Hochfrequenz-Netzteile

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem niedrige Gate-Ansteuerspannungen unter 4,5V erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung für das PG-TDSON-8-Gehäuse

Wichtige Specs

VDS
80 V
ID
55 A
RDS(on)
12,3 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

416d595f37c1cb4ba2984a332cabb6ca.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für BSC123N08NS3G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET aus der OptiMOS 3-Familie von Infineon, der für hochfrequentes Schalten und synchrone Gleichrichtung entwickelt wurde.