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BSC16DN25NS3G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

BSC16DN25NS3G product

BSC16DN25NS3G

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal250VLeistungstransistor

Der BSC16DN25NS3 G ist ein 250V N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Infineon, der speziell für DC-DC-Wandler optimiert wurde.

Ideal für

  • DC-DC-Netzteile
  • Industrielle Stromversorgung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit extrem niedrigen Spannungen oder Strömen weit über 10,9A

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung und PCB-Layout zur Wärmeableitung

Wichtige Specs

Vds
250 V
Id
10,9 A
Rds(on)
165 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungIndustrie

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für BSC16DN25NS3G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen OptiMOS 3 N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der für hocheffiziente DC-DC-Wandler entwickelt wurde und eine Durchbruchspannung von 250V bietet.