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BSC265N10LSF G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

BSC265N10LSF G product

BSC265N10LSF G

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal100VLeistungstransistor

Der BSC265N10LSF G ist ein 100V N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der für Hochfrequenzschaltungen und synchrone Gleichrichtung im kompakten PG-TDSON-8-Gehäuse optimiert ist.

Ideal für

  • Synchrone Gleichrichtung
  • Hochfrequenz-DC-DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die mehr als 100V oder deutlich höhere Ströme erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung und Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

Vds
100 V
Id
40 A
Rds(on)
26,5 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

BSC265N10LSF+G_+Rev2.06.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für BSC265N10LSF G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen OptiMOS™ 2-Leistungstransistor, der für effiziente Stromwandlung entwickelt wurde und sich durch niedrigen Einschaltwiderstand und geringe Gate-Ladung auszeichnet.