Es handelt sich um einen 30V N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET in Trench-Technologie, untergebracht in einem kompakten SOT23-Gehäuse.
BSH103BKR KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD
KI-Zusammenfassung
BSH103BKR
FETs
Wichtige Specs
- VDS
- 30 V
- ID
- 1 A
- RDS(on)
- 230 mΩ
Compliance & Umwelt
- RoHS
- ROHS3 Compliant
- REACH
- REACH Unaffected
- MSL
- 1 (Unlimited)
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.29.0095
Anwendung
LeistungsschaltungIndustrielle Steuerung
Datenblatt
CAD-Modelle
ECAD-Modelle für BSH103BKR laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.
EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bezugsquellen
Real-time and catalog pricing from verified distributors
Alternative Bauteile
1CJ3434Manufacturer
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