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BSH108,215 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

BSH108,215 product

BSH108,215

MOSFETs - Single

MOSFETN-KanalSOT23TrenchMOS

Der BSH108 ist ein 30V N-Kanal-MOSFET im SOT23-Gehäuse, optimiert für effizientes Schalten und Batteriemanagement.

Ideal für

  • Batteriemanagement
  • DC-DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen mit mehr als 0,83W Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Stellen Sie sicher, dass der Status 'Not For New Designs' mit den Anforderungen Ihres Projekts übereinstimmt.

Wichtige Specs

Vds
30 V
Id
1,9 A
Rds(on)
120 mOhm

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Anwendung

BatteriemanagementDC-DC-Wandler

Datenblatt

NXP-Semiconductors-company-12.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für BSH108,215 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der BSH108 ist ein N-Kanal-Anreicherungs-Feldeffekttransistor mit TrenchMOS-Technologie, der für effizientes Schalten in kompakten Anwendungen entwickelt wurde.