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BSH205G2A-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

BSH205G2A-HXY product

BSH205G2A-HXY

MOSFETs - Single

MOSFETP-KanalSOT-23

Der BSH205G2A ist ein P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, der für Lastschalt- und PWM-Anwendungen mit niedrigen Gate-Spannungsanforderungen optimiert ist.

Ideal für

  • Lastschaltung
  • PWM-Steuerung

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 0,65 W
  • N-Kanal-Anforderungen

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Kompatibilität der Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
-20 V
ID
-2,3 A
RDS(on)
140 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungAllgemeines Schalten

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für BSH205G2A-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert und für Schaltanwendungen mit niedriger Spannung optimiert ist.