ProjektePreiseInsights

BSO110N03MS G-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

BSO110N03MS G-HXY product

BSO110N03MS G-HXY

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET30VSOP-8

Der BSO110N03MSG ist ein 30V N-Kanal-MOSFET im SOP-8-Gehäuse, optimiert für Batterieschutz und Lastschaltanwendungen.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 1,5W ohne ausreichende Kühlung

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannung
  • Thermische Auslegung

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
8,5 A
RDS(on)
14,5 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungBatterieschutz

Datenblatt

9273b1e15fe15ca659892b901e849cd9_HXY MOSFET(华轩阳电子)&BSO110N03MS G-HXY.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für BSO110N03MS G-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit Trench-Technologie, der für niedrige Gate-Ladung und geringen Einschaltwiderstand ausgelegt ist.