BSO110N03MSG Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | Infineon | PartGenie

KI-Zusammenfassung

BSO110N03MSG product

Der BSO110N03MS G ist ein 30V N-Kanal-Leistungs-MOSFET im PG-DSO-8-Gehäuse, optimiert für Hochfrequenz-Schaltnetzteile und 5V-Treiberanwendungen.

Ideal für

Notebook-Stromversorgung
VGA-Stromversorgungen
Point-of-Load (POL) Wandler

Vermeiden, wenn

Anwendungen, die eine Durchbruchspannung von mehr als 30V erfordern

Vor der Verwendung prüfen

Wärmeableitungsanforderungen basierend auf der Kupferfläche der Leiterplatte

Wichtige Specs

VDS: 30 V
RDS(on): 11 mΩ
ID: 12,1 A

Compliance & Umwelt

RoHS: Compliant
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

StromversorgungUnterhaltungselektronik

Datenblatt

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800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für BSO110N03MSG laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen OptiMOS™ 3 M-Series N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der für Hochfrequenz-SMPS und 5V-Treiberanwendungen entwickelt wurde.