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BSP317P H6327 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

BSP317P H6327 product

BSP317P H6327

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETAEC-Q101

Der BSP317P ist ein P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET für Kleinsignalanwendungen mit einer Drain-Source-Spannung von -250V und einem Durchlasswiderstand von 4 Ohm im SOT223-Gehäuse.

Ideal für

  • Kleinsignalschaltung
  • Automobilanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Hochstrom-Leistungswandlung

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmemanagement im SOT223-Footprint

Wichtige Specs

VDS
-250 V
ID
-0,43 A
RDS(on)
4 Ohm

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

AutomobilAllgemeines Schalten

Datenblatt

30f452ea05ab08f5080dde1f531147e7_Infineon(英飞凌)&BSP317P H6327.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für BSP317P H6327 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein SIPMOS-Kleinsignal-P-Kanal-MOSFET von Infineon, der nach AEC-Q101 qualifiziert ist.