BSP321P H6327 Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | Infineon | PartGenie

KI-Zusammenfassung

BSP321P H6327 product

Der BSP321P ist ein P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET für Kleinsignalanwendungen mit -100V Drain-Source-Spannung und 900mΩ Einschaltwiderstand im SOT-223-Gehäuse.

Ideal für

Kleinsignalschaltungen
Allgemeine P-Kanal-Anwendungen

Vermeiden, wenn

Hochstromanwendungen über 1A

Vor der Verwendung prüfen

Wärmewiderstand Sperrschicht-Umgebung

Wichtige Specs

VDS: -100 V
ID: -0,98 A
RDS(on): 900 mΩ
Gehäuse: SOT-223

Compliance & Umwelt

RoHS: Yes
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

Allgemeine Anwendungen

Datenblatt

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800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für BSP321P H6327 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein SIPMOS P-Kanal-Anreicherungs-Kleinsignaltransistor von Infineon.