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BSS159N H6327 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

BSS159N H6327 product

BSS159N H6327

MOSFETs - Single

MOSFETN-KanalVerarmungstyp

Der BSS159N ist ein 60V N-Kanal-Verarmungs-MOSFET im SOT-23-Gehäuse für Kleinsignalanwendungen.

Ideal für

  • Kleinsignalschaltung
  • Automobilelektronik

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen mit niedrigem Rds(on)-Bedarf

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Schwellenspannungsbänder

Wichtige Specs

Vds
60 V
Id
0,23 A
Rds(on)
8 Ω

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

AutomobilAllgemeine Schaltung

Datenblatt

d112d52b08d263727ecf744f9019d114_Infineon(英飞凌)&BSS159N H6327.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für BSS159N H6327 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der BSS159N ist ein N-Kanal-Verarmungs-Kleinsignal-MOSFET von Infineon, der für Anwendungen mit geringer Leistung entwickelt wurde.