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BSS209PW-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

BSS209PW-HXY product

BSS209PW-HXY

MOSFETs - Single

MOSFETP-KanalSOT-323

Der BSS209PW ist ein P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET im SOT-323-Gehäuse, der für Lastschalt- und PWM-Anwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Lastschaltung
  • Batterieschutz

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen mit mehr als 0,29 W Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
-20 V
ID
-1,8 A
RDS(on)
150 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

3387ab2d3f415d563bf758e3f9c791aa_2403261736_HXY-MOSFET-BSS209PW-HXY_C22366694.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für BSS209PW-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert und für einen niedrigen Einschaltwiderstand optimiert ist.