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BSS308PEH6327-ES KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

BSS308PEH6327-ES product

BSS308PEH6327-ES

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETSOT-2330V

Der BSS308PEH6327-ES ist ein -30V P-Kanal-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, der für effizientes Schalten und DC-DC-Wandlung optimiert ist.

Ideal für

  • Tragbares Energiemanagement
  • Lastschalter
  • DC-DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Hochstromanwendungen über 4A
  • Extreme Temperaturen über 150°C

Vor der Verwendung prüfen

  • Kompatibilität der Gate-Schwellenspannung
  • Wärmeableitungsanforderungen

Wichtige Specs

VDS
-30 V
ID
-4.1 A
RDS(ON)
37 mΩ (typ)

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementLastschalter

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für BSS308PEH6327-ES laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit Trench-Technologie, der für niedrigen RDS(ON) und schnelles Schalten ausgelegt ist.