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BSS314PEH6327-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

BSS314PEH6327-HXY product

BSS314PEH6327-HXY

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETSOT-23

Der BSS314PEH6327 ist ein -30V, -4.1A P-Kanal-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, optimiert für Batterieschutz und Lastschaltanwendungen.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschaltung
  • PWM-Steuerung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die höhere Strom- oder Spannungswerte erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Verlustleistungsanforderungen

Wichtige Specs

VDS
-30 V
ID
-4.1 A
RDS(on)
56 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Lead free
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungBatterieschutz

Datenblatt

aa0335e454fb74b9c093cd511d914aa8_2401231634_HXY-MOSFET-BSS314PEH6327-HXY_C20606259.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für BSS314PEH6327-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der für hocheffiziente Schaltanwendungen unter Verwendung fortschrittlicher Trench-Technologie entwickelt wurde.