Der BSS806NE ist ein OptiMOS 2 N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET für Kleinsignalanwendungen mit einer Drain-Source-Spannung von 20V und einem Strom von 2,3A.
BSS806NEH6327 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD
KI-Zusammenfassung
Wichtige Specs
- VDS
- 20 V
- ID
- 2,3 A
- RDS(on)
- 57 mΩ
Compliance & Umwelt
- RoHS
- Compliant
- REACH
- -
- MSL
- -
- ECCN
- -
- HTSUS
- -
Anwendung
EnergieverwaltungAllgemeine Anwendungen
Datenblatt
CAD-Modelle
ECAD-Modelle für BSS806NEH6327 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.
EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bezugsquellen
Real-time and catalog pricing from verified distributors
Alternative Bauteile
3| Part | Details | Match |
|---|---|---|
![]() NCE3416Manufacturer | NCE3416 is a Redesign Alternative for BSS806NEH6327, because Vin coverage is sufficient. | Has caveats |

