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BSS806NH6327-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

BSS806NH6327-HXY product

BSS806NH6327-HXY

MOSFETs

MOSFETN-KanalSOT-23

Der BSS806NH6327 ist ein 20V, 3A N-Kanal-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, der für Batterieschutz und Lastschaltanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschalter

Vermeiden, wenn

  • Hochspannungsanwendungen über 20V

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
20 V
ID
3.0 A
RDS(ON)
53 mΩ
Gehäuse
SOT-23

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

BatterieschutzLastschalter

Datenblatt

20457eeda96c42ce3e992437c1d6a138_2401231633_HXY-MOSFET-BSS806NH6327-HXY_C20606241.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für BSS806NH6327-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Enhancement-Mode-MOSFET, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert und für niedrigen RDS(ON) und geringe Gate-Ladung optimiert ist.