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BSS816NW-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

BSS816NW-HXY product

BSS816NW-HXY

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFETSOT-32320V

Der BSS816NW ist ein 20V, 2A N-Kanal-MOSFET im SOT-323-Gehäuse, optimiert für Niederspannungsschaltungen und Batterieschutz.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Niederspannungs-Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 0,3W Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung auf der Leiterplatte

Wichtige Specs

VDS
20V
ID
2A
RDS(on)
55mΩ (bei 4,5V)

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

BatteriemanagementAllgemeines Schalten

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für BSS816NW-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit Trench-Technologie, der für effizientes Schalten bei niedrigen Gate-Spannungen (ab 2,5V) ausgelegt ist.