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BSZ086P03NS3G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

BSZ086P03NS3G product

BSZ086P03NS3G

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETInfineonLeistung

Der BSZ086P03NS3G ist ein leistungsstarker P-Kanal-MOSFET von Infineon, der speziell für das Batteriemanagement und Lastschaltanwendungen in Notebooks optimiert wurde.

Ideal für

  • Notebook-Batteriemanagement
  • Lastschaltkreise

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Logik oder Spannungen über -30V erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung auf dem PCB-Layout

Wichtige Specs

Vds
-30 V
Id
-40 A
RDS(on)
8,6 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementUnterhaltungselektronik

Datenblatt

pYYBAGHDLSKARu2OAAbdbn4nhqk577.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für BSZ086P03NS3G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Leistungs-MOSFET im kompakten PG-TSDSON-8-Gehäuse für die Oberflächenmontage, ausgelegt für -30V und -40A.