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BSZ12DN20NS3 G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

BSZ12DN20NS3 G product

BSZ12DN20NS3 G

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal200VInfineon

Der BSZ12DN20NS3 G ist ein 200V N-Kanal-Leistungs-MOSFET im kompakten PG-TSDSON-8-Gehäuse, optimiert für hocheffiziente DC-DC-Wandler.

Ideal für

  • DC-DC-Wandler
  • Leistungsschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die einen sehr hohen Dauerstrom über 11A erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungskapazität der Leiterplatte

Wichtige Specs

Vds
200 V
Id
11,3 A
Rds(on)
125 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Leistungselektronik

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für BSZ12DN20NS3 G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen OptiMOS 3 N-Kanal-Leistungstransistor von Infineon, der speziell für DC-DC-Wandleranwendungen optimiert wurde.