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BSZ150N10LS3G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

BSZ150N10LS3G product

BSZ150N10LS3G

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal100VOptiMOS

Der BSZ150N10LS3G ist ein 100V N-Kanal OptiMOS 3 Leistungs-MOSFET im kompakten PG-TSDSON-8 Gehäuse, optimiert für hochfrequente DC/DC-Wandler.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Hochfrequenzschaltungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die Ströme deutlich über 40A erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungskapazität der Leiterplatte

Wichtige Specs

VDS
100 V
ID
40 A
RDS(on)
15 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Stromversorgung

Datenblatt

f253645dd311543897aef816761d5bda_2304140030_Infineon-Technologies-BSZ150N10LS3G_C148265.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für BSZ150N10LS3G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal Leistungs-MOSFET von Infineon, der für hocheffiziente Stromwandlungsanwendungen entwickelt wurde.