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BSZ160N10NS3G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

BSZ160N10NS3G product

BSZ160N10NS3G

MOSFETs - Single

MOSFETLeistungstransistor100V

Der BSZ160N10NS3 G ist ein 100V N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der für hocheffiziente DC/DC-Wandler optimiert ist.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Hochfrequenzschaltungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die andere Spannungsbereiche oder Gate-Ladungseigenschaften erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung und Gate-Ansteuerspannung.

Wichtige Specs

VDS
100 V
ID
40 A
RDS(on)
16 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

poYBAGLnAi-ASPGWAAem9hu4C1g098.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für BSZ160N10NS3G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein OptiMOS 3 N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Infineon für Anwendungen mit hoher Schaltfrequenz.