BSZ180P03NS3 G Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | Infineon Technologies | PartGenie

KI-Zusammenfassung

BSZ180P03NS3 G product

Der BSZ180P03NS3 G ist ein leistungsstarker P-Kanal-MOSFET von Infineon, der für das Energiemanagement in kompakten elektronischen Geräten optimiert ist.

Ideal für

Batteriemanagement
Lastschaltung

Vermeiden, wenn

Anwendungen, die N-Kanal-Logik oder höhere Spannungsfestigkeiten erfordern

Vor der Verwendung prüfen

Wärmeableitungskapazitäten der Leiterplatte

Wichtige Specs

VDS: -30 V
ID: -39,6 A
RDS(on): 18 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS: RoHS Compliant
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

EnergiemanagementBatteriemanagement

Datenblatt

933b6666a1bf596d06169daf6a63bbce_Infineon(英飞凌)&BSZ180P03NS3 G.pdf

800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für BSZ180P03NS3 G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Leistungs-MOSFET, der für effizientes Lastschalten und Batteriemanagement entwickelt wurde.