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BSZ900N20NS3GATMA1 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

BSZ900N20NS3GATMA1 product

BSZ900N20NS3GATMA1

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal200VLeistungstransistor

Der BSZ900N20NS3G ist ein 200V N-Kanal-Leistungs-MOSFET im kompakten PG-TSDSON-8-Gehäuse, optimiert für effiziente DC-DC-Wandler.

Ideal für

  • DC-DC-Stromwandlung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die dauerhaft hohe Ströme über 15A ohne ausreichende Kühlung erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Verlustleistungsanforderungen

Wichtige Specs

VDS
200 V
ID
15,2 A
RDS(on)
90 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Stromwandlung

Datenblatt

596010.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für BSZ900N20NS3GATMA1 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen OptiMOS 3 N-Kanal-Leistungstransistor für Hochleistungs-Stromwandlungsanwendungen.