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BUK7Y07-30B-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

BUK7Y07-30B-HXY product

BUK7Y07-30B-HXY

MOSFETs - Single

MOSFETN-KanalEnergiemanagement

Der BUK7Y07-30B ist ein 30V, 80A N-Kanal-MOSFET im DFN5X6-8L-Gehäuse, der für niedrigen RDS(ON) und effizientes Schalten in Leistungsanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Batterieschutzschaltungen
  • Lastschalter
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die Spannungen deutlich über 30V erfordern
  • Umgebungen mit extremen Temperaturen über 150°C

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel
  • Wärmeableitungsanforderungen

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
80 A
RDS(ON)
4,7 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementIndustrie

Datenblatt

5b994772c61624c9b1e6d96bc2de50be_2403261506_HXY-MOSFET-BUK7Y07-30B-HXY_C22367530.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für BUK7Y07-30B-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-MOSFET im Anreicherungsmodus, der mit fortschrittlicher Trench-Technologie entwickelt wurde und einen niedrigen Einschaltwiderstand sowie eine effiziente Schaltleistung bietet.