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BVSS138LT1G-ES KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

BVSS138LT1G-ES product

BVSS138LT1G-ES

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFETSOT-2360V

Der BVSS138LT1G-ES ist ein 60V N-Kanal-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, optimiert für effizientes Schalten und DC/DC-Wandler.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Lastschalter
  • Energieverwaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen über 0,4A

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Schwellenspannung (Vgs(th))

Wichtige Specs

Vdss
60 V
Id
0,4 A
RDS(on)
1,5 Ω

Compliance & Umwelt

RoHS
Yes
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungAllgemeines Schalten

Datenblatt

57c07e05c6ce8dd5bba7f084c9583b20_2301091730_ElecSuper-BVSS138LT1G-ES_C5224273.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für BVSS138LT1G-ES laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit Trench-Technologie, der für niedrige Gate-Ladung und geringen Einschaltwiderstand ausgelegt ist.