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C3M0075120K-A KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

C3M0075120K-A product

C3M0075120K-A

MOSFETs - Single

SiCMOSFET1200VWolfspeed

Der C3M0075120K-A ist ein leistungsstarker 1200V SiC-MOSFET, der für hocheffiziente Stromwandlungsanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Hocheffiziente Stromwandlung
  • Hochfrequenzanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen Standard-Silizium-MOSFETs ausreichen

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Treiber-Spannungspegel
  • Wärmeabfuhr

Wichtige Specs

VDS
1200 V
RDS(on)
75 mΩ
ID
32 A
TJ Max
175 °C

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
Compliant
MSL
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Anwendung

StromwandlungEV-Ladetechnik

Datenblatt

414d65583e9982b647c8ac2cc0e225e4_2306200914_Wolfspeed-C3M0075120K-A_C7429887.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für C3M0075120K-A laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Siliziumkarbid-MOSFET (SiC) der 3. Generation mit 1200V Spannungsfestigkeit und 75mΩ Einschaltwiderstand im TO-247-4L-Gehäuse.