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C4D02120E-TR KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

C4D02120E-TR product

C4D02120E-TR

Diodes - Rectifiers - Single

SiCSchottky1200VHochfrequenz

Die C4D02120E-TR ist eine leistungsstarke 1200V, 10A SiC-Schottky-Diode, die sich ideal für hocheffiziente Hochfrequenz-Leistungswandler eignet.

Ideal für

  • Schaltnetzteile (SMPS)
  • PFC-Stufen
  • DC/DC-Wandler
  • Wechselrichter

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen Standard-Siliziumdioden ausreichen und kostengünstiger sind.

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmewiderstand (RθJC) und Sperrschichttemperaturgrenzen für Ihr spezifisches Lastprofil.

Wichtige Specs

Sperrspannung
1200 V
Durchlassstrom
10 A
Durchlassspannung
1.8 V
Kapazitive Ladung
11 nC

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
Compliant
MSL
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080

Anwendung

NetzteileWechselrichter

Datenblatt

460553.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für C4D02120E-TR laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um eine 1200V Siliziumkarbid (SiC) Schottky-Diode von Wolfspeed, die für hocheffizientes Schalten in der Leistungselektronik entwickelt wurde.