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C4D20120D KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

C4D20120D product

C4D20120D

Diodes - Rectifiers - Arrays

SiCSchottky1200VTO-247

Die C4D20120D ist eine leistungsstarke 1200V SiC-Schottky-Dioden-Anordnung im TO-247-3-Gehäuse, ideal für hocheffiziente Stromwandler.

Ideal für

  • Schaltnetzteile
  • PFC-Stufen
  • Wechselrichter-Freilaufdioden

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen Standard-Siliziumdioden ausreichen

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung und Montagedrehmoment

Wichtige Specs

Vr (Max)
1200 V
If (pro Zweig)
10 A
Vf @ 10A
1,8 V

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
Compliant
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Stromversorgung

Datenblatt

460625.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für C4D20120D laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um eine 1200V Siliziumkarbid (SiC) Schottky-Dioden-Anordnung mit gemeinsamer Kathode, die für hocheffiziente Leistungselektronik entwickelt wurde.